112层堆栈！西数宣布新一代闪存技术BiCS5

今天，西数公司正式宣布了新一代闪存技术BiCS5，这是西数与铠侠（原来的东芝存储）联合开发的，在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈，有TLC及QLC闪存两种类型，最高核心密度1.33Tb，是目前存储密度最高的产品。

西数存储芯片技术和制造高级副总裁Steve Paak博士表示，在进入下一个十年的时候，一种新型的3D闪存对持续满足不断增长的数据容量及速率的需求至关重要，而BiCS5的成功研发体现了西数在闪存技术上的领导地位及路线图的强大执行力。

BiCS5闪存是西数目前最先进、密度最高的3D NAND闪存，通过采用第二代多层存储孔、改进工艺及其他3D NANDg功能等手段显著提升了存储芯片的横向存储密度，再加上112层纵向堆栈，使得BiCS5与之前96层堆栈的BiCS4闪存技术有了明显提升，存储容量提升40%，IO性能提升了50%，同时优化了成本。

西数BiCS5闪存主要有TLC及QLC闪存两种类型，初期会以512Gb核心的TLC开始量产，后续会提供更多容量选择，包括最高密度的1.33Tb QLC闪存，预计2020年下半年开始商业化量产，主要生产工厂是日本三重县四日市及岩手县北上市的晶圆厂。