全新3D V-NAND闪存：三星正式发布850 Pro SSD

在今天举行的Samsung SSD Summit上，三星正式发布了850 Pro系列固态硬盘，其最大的特色就是采用了全新的3D V-NAND闪存芯片。具体来说，3D V-NAND闪存芯片采用的垂直单元架构，打破了过去闪存芯片在容量方面的局限性，同时也能够大幅度提升产品的读写速度以及稳定性。

容量方面，850 Pro系列将提供128GB、256GB、512GB以及1TB四种容量可供选择，其中128GB版读写速度分别是550MB/s以及470MB/s，而256GB、512GB以及1TB你的读写速度则能够达到550MB/s和520MB/s。4KB随机读写能力则均可达到100000 IOPS以及90000 IOPS。

相比之前的840 Pro系列固态硬盘来说，850 Pro系列在理论性能方面的提升并不是很明显，因此实际性能方面应该也不会有太大的提升，不过对用户来说即便有提升也感觉不到。

最后需要说一下850 Pro的主控芯片，从拆解图来看它还是840 Evo上那颗S4LN045X01-8030主控，但固件应该会针对3D V-NAND闪存做了优化。