三星宣布已研发首款LPDDR4的8Gb移动DRAM

三星公司今天正式宣布已经成功研发出业界首款采用第四代低功耗内存技术LPDDR4的8Gb移动DRAM。三星存储销售及市场推广高级执行副总裁 Young-Hyun Jun表示：“下一代的LPDDR4 DRAM将会加快全球移动DRAM市场的发展，并且将会迅速占据主导地位。三星将会继续带领DRAM市场不断向前发展。”

三星本次推出的高速8Gb的LPDDR4移动DRAM将提供最高级别密度、性能和能效对比，能够让用户更快更灵活的使用应用，提供更加丰富的功能，在延长电池续航的同时为高分辨率显示屏提供支持。

本次8Gb的LPDDR4内存采用20nm制程进行制造，单一芯片上提供1GB，相比较现今使用DRAM的密度大大提高。通过装备4块8Gb的芯片能够实现4GB的LPDDR4的封装，提供前所未有的性能体验。

此外，这款全新的8Gb LPDDR 4采用了低电压摆幅终端逻辑（ LVSTL ）I/O接口，该接口已经通过了JEDEC的认证。基于这个全新的接口LPDDR 4芯片的数据传输速率能够达到3200MBPs，是现有LPDDR3的两倍。从总体上而言新的LPDDR4接口在性能上要比LPDDR3要高50%，此外能耗减少40%，维持在1.1伏特左右。