东芝宣布推出24nm e-MMC NAND嵌入式闪存

今天,东芝宣布推出采用24nm新工艺可为智能手机、平板机、电子书阅读器、数码相机、打印机等各种便携和办公设备带来更高的性能、更大的容量的e-MMC NAND嵌入式闪存芯片，

东芝24nm e-MMC闪存基于Toggle-Mode DDR NAND闪存芯片，完全符合JEDEC e-MMC Version 4.41标准规范，单颗Die容量为8GB，可在一颗芯片内封装最多16颗Die和一个e-MMC控制器，总容量最大128GB。

此外，东芝还将芯片厚度做到了30微米，整体封装体积最小11.5×13.0×1.0毫米、最大14.0×18.0×1.2毫米，更适合对体积要求严格的移动便携设备。

除了128GB大容量，东芝还会同时提供64GB、32GB、16GB、8GB、4GB、2GB等不同规格，将在今年下半年到明年第一季度陆续试产并投入量产。