三星发布10nm级DDR4 SO-DIMM内存:功耗减少39%

三星今日宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM内存模组，用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。

三星称，新品取代的是2014年推出的20nm级16GB SoDIMM模组，后者的单芯片容量是8Gb。当然，换用更先进的制造工艺和采用更高容量后，不仅功耗减少39%，速度也快了11%。

按照三星的官方数据，配备2x32GB新内存的游戏本，活动功耗会低于4.6瓦，空闲功耗会低于1.4瓦。目前，三星的10nm工艺级的DRAM产品已经涵盖最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。