台积电首款16nm FinFET ARM来了

台积电今天宣布与海思半导体合作，成功产出了世界上第一颗基于16nm FinFET制造工艺、ARM架构的网络处理器，功能完备。台积电表示，16nm FinFET工艺能够显著改进芯片性能、功耗，并降低漏电率，栅极密度是台积电28nm HPM工艺的两倍，同等功耗下速度可以加快超过40％，同频率下功耗则可以降低超过60％。

台积电同时透露，他们对FinFET立体晶体管的研究已经超过10年，这是第一次投入实用。在完成了所有可靠性验证后，台积电16nm FinFET工艺于2013年11月份进入风险性试生产，初期良品率就非常喜人，随即便开始为客户提供流片、试产、出样工作。

国产半导体厂商海思的出境着实意外。据透露，海思的这颗网络处理器基于ARM Cortex-A57 64位架构，主频可达2.6GHz，比上代性能提升了3倍，而且支持虚拟化、软件定义网络(SDN)、网络功能虚拟化(NFV)，功耗优化也取得了新的飞跃，可用于高端网络领域。

它利用台积电的异构CoWoS 3D IC封装工艺，在一个28nm I/O芯片上集成了16nm逻辑芯片，大大降低了成本。——这说明新处理器还不是完整的16nm产物，而是一个混合试验品。