完全BIOS优化

　　如果你执意要使用映射，应该把所有区域都映射，不要仅copy一个32KB的缺省值（C000-C7FF），避免BIOS容 量过大引起的冲突。视频BIOS映射的唯一好处是兼容DOS游戏，那些老古董并不能直接存取硬件，非得BIOS帮助不可。

　　27、Shadowing address ranges (xxxxx-xxxxx Shadow)（映射地址列）

　　选项：Enabled，Disabled

　　此选项控制那一个区域的内存将用于映射视频BIOS。注意，某些附加卡会使用CXXX-EFFF作为输入/输出，并且内存读 /写请求不会经过ISA总线执行，映射视频BIOS可能导致附加卡不能工作。

　　三、Chipset Features Setup（芯片组特性设置）

　　1、SDRAM RAS-to-CAS Delay（内存行地址控制器到列地址控制器延迟）

　　选项：2、3

　　RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）到CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）之间的延迟时间。在SDRAM进行读、写、删新时都会出现延迟，减少延迟能够提高性能，反之则降低性能。如果你的内存速度够快，尽量使用\"2\"。在超频的时候，选择\"3\"会让系统更稳定，增加OC成功率。

　　2、SDRAM RAS Precharge Time（SDRAM RAS预充电时间）

　　选项：2、3

　　在SDRAM刷新之前，RAS所需的预充电周期数目，减少时间能够提高性能，反之则降低性能。如果你的内存速度够快，尽量使 用\"2\"。在超频的时候，选择\"3\"会让系统更稳定，增加OC成功率。

　　3、SDRAM CAS Latency Time/SDRAM Cycle Length（SDRAM CAS等待时间/SDRAM周期长度）

　　选项：2、3

　　控制SDRAM在读取或写入之前的时间，单位是CLK（Clock Cycle，时钟周期），减少等待时间能够增加突发传输的性能。如果你的内存速度够快，尽量使用\"2\"。在超频的时候，选择\"3 \"会让系统更稳定，增加OC成功率。

　　4、SDRAM Leadoff Command（SDRAM初始命令）

　　选项：3、4

　　调节数据存储在SDRAM之前所需的初始化时间，它会影响到突发传输时的第一个数据。如果你的内存速度够快，尽量使用\"3\" 。在超频的时候，选择\"4\"会让系统更稳定，增加OC成功率。

　　5、SDRAM Bank Interlee（SDRAM组交错）

　　选项：2-Bank、4-Bank，Disabled

　　调整SDRAM的交错模式，让不同组的SDRAM轮流删新和存取，当第一组进行删新时，第二组做存取工作，能够大大提高多组 内存协同工作时的性能。

　　每一个DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）由2组或4组构成，2组SDRAM DIMM使用32Mbit或16Mbit等小容量芯片，4组SDRAM DIMM使用64Mbit或256Mbit等大容量芯片。如果你用的是单条2组SDRAM模块，设置为\"2-Bank\"，若是4 组SDRAM模块，可设置为\"2-Bank\"或\"4-Bank\"。当然，4组SDRAM比2组SDRAM要好。另外，Phoen ix Technologies的Award BIOS会在采用16Mbit SDRAM时自动关闭交错存取。

　　6、SDRAM Precharge Control（SDRAM预充电控制）