美光推出30nm新型DDR3内存颗粒

美光今天推出新型2Gb、4Gb DDR3内存颗粒，频率为1066MHz，等效数据率2133MHz，非常适合高性能网络和独立显卡使用。

这种颗粒采用30nm工艺制造，96-ball或者78-ball FBGA封装，容量配置有128Mb×16、256Mb×8、256Mb×16、512Mb×8等四种方式，核心电压仅为1.5V，循环时间938皮秒，时序CL=14。

美光表示，该颗粒主要有两种用途，一是面向高性能网络，以低功耗满足互联网视频、云迁移、超多用户对系统带宽的需求。这方面美光与LSI进行了合作，并且会专为网络用途提供2GB ECC UDIMM内存条。

另外一种用途就是在显卡上做显存使用，可为主流和低端显卡提供成本优化的方案，比DDR3-1600多出三分之一的带宽。美光的合作伙伴是AMD，相信AMD显卡不久后就会用上这种新显存。

美光新颗粒目前已经开始试产，并会在今夏投入量产。