美光推出全新低功耗DDR3内存DDR3Lm

美光日前公布了全新低功耗DDR3内存DDR3Lm，主要面向平板电脑以及超轻薄笔记本等移动市场。首批产品包括2Gb、4Gb两种规格，宣称可为移动产品带来更长续航时间的同时，依然拥有不俗的性能和较高的性价比。

首先是2Gb DDR3Lm，相比标准2Gb DDR3L（低电压版DDR3）芯片，其功耗可以降低50％左右，最高频率为1600MHz。而4Gb DDR3Lm同样主打低功耗，待机状态下功耗只有3.7mA IDD6，最高频率可达1866MHz。二者都采用了美光30nm新工艺，以进一步优化功耗以及性能，非常适合于超轻薄笔记本电脑及平板电脑等移动产品。

目前，美光已经展示了全新低功耗DDR3Lm内存的样品，预计会在2012年第2季度大规模量产，而Intel也已经准备对此产品提供支持，并将会鼓励其合作伙伴在基于Atom的平板电脑和超轻薄本上使用DDR3Lm内存。