三星开始量产128Gb，3bit MLC NAND闪存芯片

三星公司宣布，公司已经开始用10nm级别制程量产128Gb，3bit MLC NAND闪存芯片，这意味着单芯片16GB容量。凭借这种新芯片，三星可以扩展其128GB闪存卡的供应。

3bit MLC也叫做TLC，表示闪存芯片中的每个cell可以容纳3bit数据。我们知道闪存芯片目前主要有三种类型，分别是SLC（single- level-cell）, MLC（ multi-level-cell）和TLC（triple-level-cell）。SLC的寿命较长，而MLC和TLC比较便宜。三星计划采用这种闪存芯片来量产500GB以上容量的SSD，进一步推动台式机和笔记本中用SSD取代传统硬盘。

另外，在Android手机中采用这种芯片也可以在手机体积不变的前提下增加其内部存储空间。这种新闪存芯片在存储密度和读写性能方面都达到目前业界最高标准——在DDR 2.0界面上可以达到400Mbps的数据传输率。